（1）輸出特性
IGBT的正向特性可以分為4個區間：飽和區、線性區、截止區和雪崩擊穿區。由于IGBT一般在變頻器中是用作開關功能的，故一般工作在飽和區和截止區。如果驅動能力不夠，可能會落到線性區引起過熱損壞；如果關斷時C-E間的電壓過高，則有可能使IGBT發生雪崩擊穿而損壞。
IGBT本身不像MOSFET那樣內部有一個寄生二極管，所以在很多情況下會把一個二極管芯片與IGBT芯片封裝在一起。由于IGBT是非對稱器件，E-C間承受電壓的能力很差（通常只有十幾伏），由于并聯了反并二極管，所以承受的反壓會被鉗位，但某些情況下，由于二極管正向導通特性差等原因，鉗位效果會大打折扣，反壓可能沖到很高，進而導致IGBT反向擊穿而失效。
（2）集電極電流Ic、Icm和二極管電流IF的定義
IGBT器件規格書中給的集電極電流Ic是在不考慮開關損耗情況下管子能夠流過的最大連續電流；也即只考慮導通損耗，不考慮其他損耗并且在一定溫度情況下管子所能承受的電流。我們實際使用時IGBT是工作在周期性地開通、關斷狀態的，而且開關頻率各不相同。所以從熱方面考慮，IGBT也絕對不能在額定電流下使用，具體能流過多大電流，要以結溫（包括穩態結溫和瞬態結溫）計算結果為準。
集電極重復峰值電流Icm是管子在任何情況下都不能超過的最大峰值電流，該值受到結溫、鍵合線通電流能力、功率端子承受能力、擎住效應風險等的限制，熱僅僅是其中的一個限定條件。我們在設定過流點、逐波限流點時要特別注意。
同樣，反并二極管的額定電流（富士稱為-Ic）也是不考慮開關損耗情況下管子能夠流過的最大連續電流，具體定義如下式：
（3）門極加穩壓管和電阻
門極加電阻是為了避免門極懸浮，將IGBT輸入電容中殘存的電荷泄放掉，避免誤開通。門極加穩壓管是為了吸收異常的尖峰。
在實際工作中，很多新員工一般都不愿意加穩壓管，理由是實際測試中門極電壓波形很好，沒有遇到過尖峰。試問研發階段的測試是否夠充分，是否能夠全面覆蓋市場應用的各種惡劣條件。門極產生尖峰通常有兩種主要途徑：通過米勒電容耦合過來，或者通過發射極的寄生電感感應過來。門極能夠承受的最高電壓一般為正負20V，只要幅值超了，不能時間多短都有造成物理性損壞的風險。若干經驗表明，因為門極電壓擊穿導致模塊失效的情況也是很常見的，是導致IGBT失效的主要原因之一，所以我們沒必要為了幾毛錢的事情在這上面糾結。
（4）IGBT驅動電壓的選擇
IGBT驅動電壓可以分為開通電壓Vge（+）和關斷電壓Vge(-)，我們通常用15V開通，用-8V左右電壓來關斷。
Vge（+）越高，飽和壓降Vce(sat)越小，但同時短路電流也越大，短路持續時間會下降。要注意，開通電壓并不是越大越好，當驅動電壓達到一定值后，再升高該電壓，Vce(sat)變化不大，但會導致充電電流增大，驅動功耗增加，Vge容易產生尖峰電壓，上升時間變短，關斷延遲時間延長。
關斷電壓Vge(-)通常選擇-5V或-8V，負壓關斷的好處是：加快關斷速度，減小關斷損耗；防止誤開通，使關斷更可靠。負壓關斷的壞處是：驅動電流增大，驅動功耗增加；開通延遲時間增加。
（5）IGBT驅動電阻Rg的選擇
Rg對開通的影響：
Ø 開通損耗；
Ø IGBT的電流尖峰（即二極管的反向恢復電流峰值)；
Ø dV/dt;
Ø 二極管的反向恢復損耗。
Rg對關斷的影響：
Ø 關斷損耗（影響沒有對開通的大）；
Ø di/dt（主要由芯片技術而定；Rg很大時才有明顯影響）；
Ø dV/dt
選擇Rg時的明確下限為：規格書中開關損耗測試條件中的值；Rg的上限：要依據IGBT和二極管損耗、死區時間、Vge波形（是否有震蕩或尖峰）等而定，同時要考慮到驅動器的輸出能力和驅動器溫度。
（6）結溫Tjmax和Tjop的定義
結溫是IGBT的最重要的參數之一，一般IGBT模塊的規格書中通常會給出一個Tjmax和一個Tjop，不同廠家間的定義略有差異，但基本思路都是一致的，即連續的、穩定負載時結溫（穩態結溫）不能超過Tjop；瞬態的、過渡過程時的結溫（瞬態結溫）不能超過Tjmax。下圖是三菱關于這兩個結溫的解釋，很好的說明了它們之間的差別，我們在實際設計時要明確遵守。
